Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
  1. Boeken
  2. Non-fictie
  3. Wetenschap
  4. Techniek
  5. Elektronica & Elektrotechniek
  6. Transient Electro-Thermal Modeling of Bipolar Power Semiconductor Devices

Transient Electro-Thermal Modeling of Bipolar Power Semiconductor Devices

Tanya Kirilova Gachovska
€ 31,45
+ 62 punten
Levertermijn 1 à 4 weken
Eenvoudig bestellen
Veilig betalen
Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)
Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

This book presents physics-based electro-thermal models of bipolar power semiconductor devices including their packages, and describes their implementation in MATLAB and Simulink. It is a continuation of our first book Modeling of Bipolar Power Semiconductor Devices. The device electrical models are developed by subdividing the devices into different regions and the operations in each region, along with the interactions at the interfaces, are analyzed using the basic semiconductor physics equations that govern device behavior. The Fourier series solution is used to solve the ambipolar diffusion equation in the lightly doped drift region of the devices. In addition to the external electrical characteristics, internal physical and electrical information, such as junction voltages and carrier distribution in different regions of the device, can be obtained using the models. The instantaneous dissipated power, calculated using the electrical device models, serves as input to the thermal model (RC network with constant and nonconstant thermal resistance and thermal heat capacity, or Fourier thermal model) of the entire module or package, which computes the junction temperature of the device. Once an updated junction temperature is calculated, the temperature-dependent semiconductor material parameters are re-calculated and used with the device electrical model in the next time-step of the simulation. The physics-based electro-thermal models can be used for optimizing device and package design and also for validating extracted parameters of the devices. The thermal model can be used alone for monitoring the junction temperature of a power semiconductor device, and the resulting simulation results used as an indicator of the health and reliability of the semiconductor power device. Table of Contents: Nomenclature / Temperature Dependencies of Material and Device Parameters / One-Dimensional Thermal Model / Realization of Power IGBT and Diode Thermal Model / References / Authors' Biographies

Specificaties

Betrokkenen

Auteur(s):
Uitgeverij:

Inhoud

Aantal bladzijden:
84
Taal:
Engels
Reeks:

Eigenschappen

Productcode (EAN):
9781627051897
Verschijningsdatum:
1/11/2013
Uitvoering:
Paperback
Formaat:
Trade paperback (VS)
Afmetingen:
190 mm x 235 mm
Gewicht:
163 g
Standaard Boekhandel

Alleen bij Standaard Boekhandel

+ 62 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
E-BOOK ACTIE

Tot meer dan 50% korting

op een selectie e-books
E-BOOK ACTIE
E-book kortingen
Standaard Boekhandel

Beoordelingen

We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.