Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Door een staking bij bpost kan je online bestelling op dit moment iets langer onderweg zijn dan voorzien. Dringend iets nodig? Onze winkels ontvangen jou met open armen!
Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Door een staking bij bpost kan je online bestelling op dit moment iets langer onderweg zijn dan voorzien. Dringend iets nodig? Onze winkels ontvangen jou met open armen!
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
The past five years have witnessed some dramatic developments in the general area of ferroelectric thin films materials and devices. Ferroelectrics are not new materials by any stretch ofimagination. Indeed, they have been known since the early partofthis century and popular ferroelectric materials such as Barium Titanate have been in use since the second world war. In the late sixties and seventies, a considerable amountofresearch and development effort was made to create a solid state nonvolatile memory using ferroelectrics in a vary simple matrix-addressed scheme. These attempts failed primarily due to problems associated with either the materials ordue to device architectures. The early eighties saw the advent of new materials processing approaches, such as sol-gel processing, that enabled researchers to fabricate sub-micron thin films of ferroelectric materials on a silicon substrate. These pioneering developments signaled the onsetofa revival in the areaofferroelectric thin films, especially ferroelectric nonvolatile memories. Research and development effort in ferroelectric materials and devices has now hit a feverish pitch, Many university laboratories, national laboratories and advanced R&D laboratories oflarge IC manufacturers are deeply involved in the pursuit of ferroelectric device technologies. Many companies worldwide are investing considerable manpower and resources into ferroelectric technologies. Some have already announced products ranging from embedded memories in micro- controllers, low density stand-alone memories, microwave circuit elements, andrf identification tags. There is now considerable optimism that ferroelectric devices andproducts will occupy a significant market-share in the new millennium.