Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- Gratis thuislevering in België
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- Gratis thuislevering in België
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-Based Mos Devices
Zhiqiang Li
€ 52,95
+ 105 punten
Uitvoering
Omschrijving
This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.
Specificaties
Betrokkenen
- Auteur(s):
- Uitgeverij:
Inhoud
- Aantal bladzijden:
- 59
- Taal:
- Engels
- Reeks:
Eigenschappen
- Productcode (EAN):
- 9783662496817
- Verschijningsdatum:
- 22/06/2016
- Uitvoering:
- Hardcover
- Formaat:
- Genaaid
- Afmetingen:
- 162 mm x 244 mm
- Gewicht:
- 349 g
Alleen bij Standaard Boekhandel
+ 105 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
SOLDEN
E-BOOK ACTIE
Beoordelingen
We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.