Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten

The Mocvd Challenge

A Survey of Gainasp-Inp and Gainasp-GAAS for Photonic and Electronic Device Applications, Second Edition

Manijeh Razeghi
Hardcover | Engels | Electronic Materials and Devices
€ 337,95
+ 675 punten
Uitvoering
Verwachte leverdatum onbekend
Eenvoudig bestellen
Veilig betalen
Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)
Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

Written by one of the driving forces in the field, The MOCVD Challenge is a comprehensive review covering GaInAsP-InP, GaInAsP-GaAs, and related material for electronic and photonic device applications. These III-V semiconductor compounds have been used to realize the electronic, optoelectronic, and quantum devices that have revolutionized telecommunications. The figure on the back cover gives the energy gap and lattice parameter for the entire compositional range of the binary, ternary, and quaternary combinations of these III-V elements. By understanding the material and learning to control the growth new devices become possible: the front cover shows the world's first InP/GaInAs superlattice that was fabricated by the author -- this has gone on to be the basis of modern quantum devices like quantum cascade lasers and quantum dot infrared photodetectors.

Now in its second edition, this updated and combined volume contains the secrets of MOCVD growth, material optimization, and modern device technology. It begins with an introduction to semiconductor compounds and the MOCVD growth process. It then discusses in situ and ex situ characterization for MOCVD growth. Next, the book examines in detail the specifics of the growth of GaInP(As)-GaAs and GaInAs(P)-InP material systems. It examines MOCVD growth of various III-V heterojunctions and superlattices and discusses electronic and optoelectronic devices realized with this material. Spanning 30 years of research, the book is the definitive resource on MOCVD.

Specificaties

Betrokkenen

Auteur(s):
Uitgeverij:

Inhoud

Aantal bladzijden:
800
Taal:
Engels
Reeks:

Eigenschappen

Productcode (EAN):
9781439806982
Verschijningsdatum:
17/08/2010
Uitvoering:
Hardcover
Formaat:
Genaaid
Afmetingen:
157 mm x 236 mm
Gewicht:
1220 g
Standaard Boekhandel

Alleen bij Standaard Boekhandel

+ 675 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
E-BOOK ACTIE

Tot meer dan 50% korting

op een selectie e-books
E-BOOK ACTIE
E-book kortingen
Standaard Boekhandel

Beoordelingen

We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.