Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 97,45

+ 194 punten

Uitvoering

Levering 1 à 2 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

Written by one of the driving forces in the field, The MOCVD Challenge is a comprehensive review covering GaInAsP-InP, GaInAsP-GaAs, and related material for electronic and photonic device applications. These III-V semiconductor compounds have been used to realize the electronic, optoelectronic, and quantum devices that have revolutionized telecommunications. The figure on the back cover gives the energy gap and lattice parameter for the entire compositional range of the binary, ternary, and quaternary combinations of these III-V elements. By understanding the material and learning to control the growth new devices become possible: the front cover shows the world's first InP/GaInAs superlattice that was fabricated by the author -- this has gone on to be the basis of modern quantum devices like quantum cascade lasers and quantum dot infrared photodetectors.

Now in its second edition, this updated and combined volume contains the secrets of MOCVD growth, material optimization, and modern device technology. It begins with an introduction to semiconductor compounds and the MOCVD growth process. It then discusses in situ and ex situ characterization for MOCVD growth. Next, the book examines in detail the specifics of the growth of GaInP(As)-GaAs and GaInAs(P)-InP material systems. It examines MOCVD growth of various III-V heterojunctions and superlattices and discusses electronic and optoelectronic devices realized with this material. Spanning 30 years of research, the book is the definitive resource on MOCVD.