Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
Submillimeter-wave frequency bands allow for broadband transmit and receive windows, serviceable to both communications- and radar-based applications, increasing data rates and imaging resolutions, respectively. Due to the small wavelength, singular-chip solutions that combine active chains with corresponding on-chip antennas are highly promoted. Whilst a majority of such solutions are based on silicon-on-insulator complementary metal-oxide semiconductor technology nodes, the limited maximum oscillation frequency restricts the realizable bandwidth. Thus, a fully-integrated transceiver chip processed on a 35-nm InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistor technology, with a maximum oscillation frequency of above 850 GHz, is of high interest. To that degree, this work addresses the realization of broadband 400-GHz transmit and receive monolithic-integrated active chains as well as corresponding on-chip antennas. The latter present a novel combination of metastructures with a quartz dielectric resonator and a diamond director plate to realize broadband and broadside radiating on-chip antennas for all back-end-of-line substrate-thickness limited integrated-circuit technologies.