• Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
  1. Boeken
  2. Non-fictie
  3. Wetenschap
  4. Techniek
  5. Elektronica & Elektrotechniek
  6. Physics and Modeling of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim

Physics and Modeling of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim

Tatsuya Ezaki, Hans Jurgen Mattausch, Mitiko Miura-Mattausch
€ 83,95
+ 167 punten
Levering 1 à 2 weken
Eenvoudig bestellen
Veilig betalen
Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)
Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.

Specificaties

Betrokkenen

Auteur(s):
Uitgeverij:

Inhoud

Aantal bladzijden:
380
Taal:
Engels
Reeks:

Eigenschappen

Productcode (EAN):
9789813203310
Verschijningsdatum:
5/06/2008
Uitvoering:
Paperback
Formaat:
Trade paperback (VS)
Afmetingen:
152 mm x 229 mm
Gewicht:
508 g
Standaard Boekhandel

Alleen bij Standaard Boekhandel

+ 167 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
E-BOOK ACTIE

Tot meer dan 50% korting

op een selectie e-books
E-BOOK ACTIE
E-book kortingen
Standaard Boekhandel

Beoordelingen

We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.