Onze Vivlio e-readers ondervinden momenteel synchronisatieproblemen. We doen er alles aan om dit zo snel mogelijk op te lossen. Onze excuses voor het ongemak!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Onze Vivlio e-readers ondervinden momenteel synchronisatieproblemen. We doen er alles aan om dit zo snel mogelijk op te lossen. Onze excuses voor het ongemak!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Long-Term Reliability of Nanometer VLSI Systems

Modeling, Analysis and Optimization

Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr
Hardcover | Engels
€ 158,45
+ 316 punten
Uitvoering
Levertermijn 1 à 4 weken
Eenvoudig bestellen
Veilig betalen
Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)
Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

This book provides readers with a detailed reference regarding two of the most important long-term reliability and aging effects on nanometer integrated systems, electromigrations (EM) for interconnect and biased temperature instability (BTI) for CMOS devices. The authors discuss in detail recent developments in the modeling, analysis and optimization of the reliability effects from EM and BTI induced failures at the circuit, architecture and system levels of abstraction. Readers will benefit from a focus on topics such as recently developed, physics-based EM modeling, EM modeling for multi-segment wires, new EM-aware power grid analysis, and system level EM-induced reliability optimization and management techniques.
  • Reviews classic Electromigration (EM) models, as well as existing EM failure models and discusses the limitations of those models;
  • Introduces a dynamic EM model to address transient stress evolution, in which wires are stressed under time-varying current flows, and the EM recovery effects. Also includes new, parameterized equivalent DC current based EM models to address the recovery and transient effects;
  • Presents a cross-layer approach to transistor aging modeling, analysis and mitigation, spanning multiple abstraction levels;
  • Equips readers for EM-induced dynamic reliability management and energy or lifetime optimization techniques, for many-core dark silicon microprocessors, embedded systems, lower power many-core processors and datacenters.

Specificaties

Betrokkenen

Auteur(s):
Uitgeverij:

Inhoud

Aantal bladzijden:
460
Taal:
Engels

Eigenschappen

Productcode (EAN):
9783030261719
Verschijningsdatum:
25/09/2019
Uitvoering:
Hardcover
Formaat:
Genaaid
Afmetingen:
156 mm x 234 mm
Gewicht:
875 g
Standaard Boekhandel

Alleen bij Standaard Boekhandel

+ 316 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
E-BOOK ACTIE

Tot meer dan 50% korting

op een selectie e-books
E-BOOK ACTIE
E-book kortingen
Standaard Boekhandel

Beoordelingen

We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.