Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Lateral Power Transistors in Integrated Circuits

Tobias Erlbacher
Hardcover | Engels | Power Systems
€ 105,45
+ 210 punten
Uitvoering
Levertermijn 1 à 4 weken
Eenvoudig bestellen
Veilig betalen
Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)
Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

The book summarizes and compares recent advancements in the development of novel lateral power transistors (LDMOS devices) for integrated circuits in power electronic applications.

In its first part, the book motivates the necessity for lateral power transistors by a top-down approach: First, it presents typical energy conversion applications in modern industrial, automotive and consumer electronics. Next, it introduces common circuit topologies suitable for these applications, and discusses the feasibility for monolithic integration. Finally, the combination of power and logic functionality on a single chip is motivated and the requirements and limitations for the power semiconductor devices are deduced.

The second part describes the evolution of lateral power transistors over the past decades from the simple pin-type concept to double-acting RESURF topologies. It describes the principle of operation for these LDMOS devices and discusses limitations of lateral power devices. Moreover, figures-of-merit are presented which can be used to evaluate the performance of the novel lateral power transistors described in this book with respect to the LDMOS devices.

In the last part, [..] the fundamental physical concepts including charge compensation and trench gate topologies are discussed. Also, the status of research in LDMOS devices on silicon carbide is presented. Advantages and drawbacks for each of these integration approaches are summarized, and the feasibility with respect to power electronic applications is evaluated.

Specificaties

Betrokkenen

Auteur(s):
Uitgeverij:

Inhoud

Aantal bladzijden:
223
Taal:
Engels
Reeks:

Eigenschappen

Productcode (EAN):
9783319004990
Verschijningsdatum:
24/10/2014
Uitvoering:
Hardcover
Formaat:
Genaaid
Afmetingen:
156 mm x 234 mm
Gewicht:
517 g
Standaard Boekhandel

Alleen bij Standaard Boekhandel

+ 210 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
E-BOOK ACTIE

Tot meer dan 50% korting

op een selectie e-books
E-BOOK ACTIE
E-book kortingen
Standaard Boekhandel

Beoordelingen

We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.