Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 54,45

+ 108 punten

Levering 1 à 2 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

In januari gratis thuislevering in België (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

The gate current of Al27Ga73N/GaN heterogeneous field effect transistors (HFETs) is investigated using current-voltage (IV) and current-temperature (IT) measurement demonstrating that trap assisted tunneling (TAT) is the primary current mechanism. Excellent fit to experimental data is achieved using a thermionic trap assisted tunneling (TTT) model. A single value for each of the primary parameters (Schottky barrier height, trap energy, donor density and trap density) results in a sigma of 1.38x10-8 A for IT data measured at five voltages between 85K and 290K and for IV data measured at three temperatures between 0.0 V and -4.0 V. High energy (gt;0.5 MeV) neutron irradiation at fluences between 4.0x1010 and 1.2x1012 n/cm2 confirms an increase of gate current with fluence. A change in IV characteristics, interpreted as an increase in magnitude of threshold voltage, is also observed.