Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 63,95

+ 127 punten

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

Mitigating the power concerns involved with the aggressive shrinking of silicon (Si) based complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistors requires the adoption of high-mobility, alternative materials such as Germanium (Ge). Although the use of Ge in bulk form is cost-prohibitive, creative methods such as the application of Ge on to Si substrate via a buffer layer "bridge" helps drive the feasibility of the use of Ge for novel, low-power applications using standard CMOS processes. This work explores the electrical and material characteristics of MOS capacitors fabricated on crystallographic Ge integrated on to Si substrate via AlAs/GaAs buffers. Electrical characteristics of different crystallographically oriented Ge integrated on AlAs/GaAs buffers and the tunability of a key device characteristic known as threshold voltage is demonstrated as well. Thus, this research demonstrates the feasibility of the use of Ge integrated on Si via AlAs/GaAs buffer layers for high-speed, low-power electronic devices.