Door een staking bij bpost kan je online bestelling op dit moment iets langer onderweg zijn dan voorzien. Dringend iets nodig? Onze winkels ontvangen jou met open armen!

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Door een staking bij bpost kan je online bestelling op dit moment iets langer onderweg zijn dan voorzien. Dringend iets nodig? Onze winkels ontvangen jou met open armen!

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 105,45

+ 210 punten

Uitvoering

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect mechanisms driven by the crucial polar-on-nonpolar heterointerface. This thesis reports almost lattice-matched growth of thin gallium phosphide films as a viable model system for III-V/Si(100) interface investigations. The impact of antiphase disorder on the heteroepitaxial growth surface provides quantitative optical in situ access to one of the most notorious defect mechanisms, even in the vapor phase ambient common for compound semiconductor technology. Precise control over the surface structure of the Si(100) substrates prior to III-V nucleation prevents the formation of antiphase domains. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration.