Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 48,45

+ 96 punten

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

In januari gratis thuislevering in België (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

AlScN and AlYN epitaxial layers bring two advantages for GaN based high-electron mobility transistors (HEMT): The high sheet charge carrier densities in the two-dimensional electron gas at the interface to GaN enables high drain currents and output powers, while the lattice parameter matchings to GaN allows for the growth of strain-free barriers promising for increased lifetimes of devices. For industrial applications, it is essential to grow these materials by metal-organic chemical vapour depostion (MOCVD), but the low vapour pressures of Sc and Y precursors limit the achievable growth rates and the high thermal budget leads to the degradation of the active interfaces.
In this work, the growth rate is increased by employing novel Sc precursors and its impact on the structural and electrical properties of AlScN/GaN heterostructures is investigated in detail. AlScN/GaN HEMTs with the highest reported combination of output power and power added efficiency achieved for class-AB continuous wave operation at Ka-band frequencies on metal-polar GaN-based HEMTs are presented. Growth of AlYN and AlYN/GaN heterostructures by MOCVD is reported and discussed for the first time.