Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 42,45

+ 84 punten

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

In januari gratis thuislevering in België (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

This concise volume examines the characteristic electronic parameters of semiconductor interfaces, namely the barrier heights of metal-semiconductor or Schottky contacts and the valence-band discontinuities of semiconductor-semiconductor interfaces or heterostructures. Both are determined by the same concept, namely the wave-function tails of electron states overlapping a semiconductor band gap directly at the interface. These interface-induced gap states (IFIGS) result from the complex band structure of the corresponding semiconductor. The IFIGS are characterized by two parameters, namely by their branch point, at which their charge character changes from predominantly valence-band- to conduction-band-like, and secondly by the proportionality factor or slope parameter of the corresponding electric-dipole term, which varies in proportion to the difference in the electronegativities of the two solids forming the interface. This IFIGS-and-electronegativity concept consistently and quantitatively explains the experimentally observed barrier heights of Schottky contacts as well as the valence-band offsets of heterostructures. Insulators are treated as wide band-gap semiconductors.