Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
This book describes the electronic properties of the surfaces of gallium nitride (GaN) and aluminum nitride (AlN), which are the materials with applications in short wavelength light emitting devices and high power electronics. First, we report the studies of the surface structure, stoichiometry and electronic properties of GaN(0001) and AlN (0001) surfaces. Clean and ordered (1x1) surfaces with nearly stoichiometric composition were prepared and then investigated using direct and inverse photoemission spectroscopy. Filled and empty surface states were found to exist and extend beyond the valence and conduction band edges at GaN and AlN surfaces. These intrinsic surface states are presumably associated with cation dangling bonds. We then present the studies of negative electron affinity at AlN and GaN surfaces. The effects of cesium (Cs) adsorption on electron affinity at the AlN(0001)-1x1 and GaN(0001)-1x1 surfaces were investigated via ultra-violet and x-ray photoemission spectroscopy and total yield spectroscopy. We also discuss the chemical and electrical properties of metal-GaN interfaces.