Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Door een staking bij bpost kan je online bestelling op dit moment iets langer onderweg zijn dan voorzien. Dringend iets nodig? Onze winkels ontvangen jou met open armen!
Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Door een staking bij bpost kan je online bestelling op dit moment iets langer onderweg zijn dan voorzien. Dringend iets nodig? Onze winkels ontvangen jou met open armen!
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
The present book is written for research and postgraduate students who are interested to get first hand information about various electronic and thermal properties of binary (II-VI, III-V) and ternary (I-III-VI2, II-IV-V2) semiconductors. In this book, simple models based on plasma oscillations theory of solids, have been proposed for the calculation of various bond parameters such as bond length, energy gaps, ionicity and dielectric constant for these groups of semiconductors. Two simple models have been proposed for the calculation of heats of formation. One is based on the spectroscopic model of Phillips and Van Vechten and other is based on the best fit of the data of heat of formation and plasmon energy. Finally, simple relations between plasmon energy and thermal expansion coefficients have been developed. Special care of delocalization of noble metal d-electrons effect has been taken into account in the case of I(Cu, Ag)-VI bond in the I-III-VI2 semiconductors. The calculated values of above parameters are in fair agreement with the experimental values and the values reported by other workers.