Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 58,45

+ 116 punten

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

Gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) technology appears as an appealing candidate for supporting a variety of millimeter-wave (mm-wave) applications with its unique combination of simultaneous high-voltage and high-frequency operation. However, despite the rapid advance in GaN HEMT technology, the reported available gain of the devices is still limited at higher mm-wave frequencies in comparison to the competing high-speed semiconductor processes. This work investigates several approaches to enhance the performance of GaN-based circuits operating within the mm-wave spectrum. The main aim is to provide a set of design approaches and techniques to enable broadband operation of mm-wave GaN power amplifier monolithic microwave integrated circuits (MMICs), with a particular focus on frequencies close to and beyond the 100-GHz mark. In order to fulfill this goal, these approaches need to simultaneously target distinct design levels. Furthermore, implementing the concepts investigated in this work on circuit-level result in several MMICs providing state-of-the-art performance among GaN-based power amplifiers.