- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- Gratis thuislevering in België vanaf € 30
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- Gratis thuislevering in België vanaf € 30
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Rohin Gupta, S. S. Gill, Navneet Kaur
Paperback | Engels
€ 54,45
+ 108 punten
Omschrijving
In this work The novel single ended 5T and 6T SRAM cell is presented. This transistor is high density cell or takes less area than conventional 6T SRAM cell. Leakage current of this cell is very low as compared to other 5T or conventional 6T cell. There is a requirement of precharge circuit for this cell as that in conventional 6T SRAM cell. This cell is also power efficient. Also results show that the data stored in this cell is highly stable.There is always scope of improvement in any type of circuit or application. With the proposed configuration we can improve it with various techniques. We can change aspect ratio of the cell for better results. We can apply clock gating for power efficient circuit. We can improve peripheral circuit for better performance.
Specificaties
Betrokkenen
- Auteur(s):
- Uitgeverij:
Inhoud
- Aantal bladzijden:
- 108
- Taal:
- Engels
Eigenschappen
- Productcode (EAN):
- 9783659861116
- Uitvoering:
- Paperback
- Afmetingen:
- 150 mm x 220 mm
Alleen bij Standaard Boekhandel
+ 108 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
E-BOOK ACTIE
Beoordelingen
We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.