Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

140 winkels

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Vind hier een winkel

€ 48,45

+ 96 punten

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

The most commonly used tool for studying gate-oxide quality in detail is the Capacitance-Voltage (C-V) technique. C-V test results offer a wealth of device and process Information, including bulk and interface charges and many MOS-device parameters.This Project will devote for how to use the Agilent LCR meter (E-4980A) to make C-V measurements. It also addresses basic MOS physics, proper C-V measurement techniques, and parameter extraction from C-V test results. C-V measurements are typically made on a capacitor- like device, such as a MOS capacitor (MOS-C). Successful measurements require compensating for stray capacitance, recording capacitance values only at equilibrium conditions, and applying measuring signals in an appropriate sequence. These issues are addressed in my project under result chapter to provide guidance for choosing and/or writing test routines and preparing for C-V tests. This work has Introduction (Chapter-1), VEE-Pro Software (Chapter-2), SUPREM Simulation (Chapter-3), Fabrication of MOS(Oxidation) (Chapter-5), Capacitances of MOS (Chapter-6), Record the data of C-V curves (Chapter-7) and Conclusion (Chapter-8).