Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Wil je zeker zijn dat je cadeautjes op tijd onder de kerstboom liggen? Onze winkels ontvangen jou met open armen. Nu met extra openingsuren op zondag!
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • Gratis thuislevering in België vanaf € 30
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
  1. Boeken
  2. Non-fictie
  3. Wetenschap
  4. Techniek
  5. Elektronica & Elektrotechniek
  6. Characterization of C-V curves and Analysis, Using VEE Pro Software

Characterization of C-V curves and Analysis, Using VEE Pro Software

After Fabrication of MOS Device

Viranjay M Srivastava
Paperback | Engels
€ 48,45
+ 96 punten
Levertermijn 1 à 4 weken
Eenvoudig bestellen
Veilig betalen
Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)
Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

The most commonly used tool for studying gate-oxide quality in detail is the Capacitance-Voltage (C-V) technique. C-V test results offer a wealth of device and process Information, including bulk and interface charges and many MOS-device parameters.This Project will devote for how to use the Agilent LCR meter (E-4980A) to make C-V measurements. It also addresses basic MOS physics, proper C-V measurement techniques, and parameter extraction from C-V test results. C-V measurements are typically made on a capacitor- like device, such as a MOS capacitor (MOS-C). Successful measurements require compensating for stray capacitance, recording capacitance values only at equilibrium conditions, and applying measuring signals in an appropriate sequence. These issues are addressed in my project under result chapter to provide guidance for choosing and/or writing test routines and preparing for C-V tests. This work has Introduction (Chapter-1), VEE-Pro Software (Chapter-2), SUPREM Simulation (Chapter-3), Fabrication of MOS(Oxidation) (Chapter-5), Capacitances of MOS (Chapter-6), Record the data of C-V curves (Chapter-7) and Conclusion (Chapter-8).

Specificaties

Betrokkenen

Auteur(s):
Uitgeverij:

Inhoud

Aantal bladzijden:
84
Taal:
Engels

Eigenschappen

Productcode (EAN):
9783639261554
Verschijningsdatum:
16/07/2010
Uitvoering:
Paperback
Formaat:
Trade paperback (VS)
Afmetingen:
152 mm x 229 mm
Gewicht:
136 g
Standaard Boekhandel

Alleen bij Standaard Boekhandel

+ 96 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
E-BOOK ACTIE

Tot meer dan 50% korting

op een selectie e-books
E-BOOK ACTIE
E-book kortingen
Standaard Boekhandel

Beoordelingen

We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.