Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 77,95

+ 155 punten

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

In januari gratis thuislevering in België (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

New MOSFET architectures are presently being developed in which dielectrics with high permittivity are introduced to replace SiO2-based dielectrics, which are at the end of the scaling roadmap, and where also metal gates are used to replace poly-Si gate to avoid poly-depletion effects. Key in the success of this development is the electrical behavior of such high k/metal gate devices, and more specifically the Bias-Temperature- Instabilities, which are well-known reliability problems in MOS gate stacks. In this thesis, these Bias-Temperature effects will be investigated: the electrical behavior of the devices under Bias- Temperature stress will be characterized, models to explain the instability effects will be developed, the impact of processing, material composition and deposition techniques, annealing conditions etc. will be investigated, and ways to improve these BTI effects will be proposed. This work should ultimately lead to optimized gate stacks with higher BTI robustness