Onze Vivlio e-readers ondervinden momenteel synchronisatieproblemen. We doen er alles aan om dit zo snel mogelijk op te lossen. Onze excuses voor het ongemak!

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Onze Vivlio e-readers ondervinden momenteel synchronisatieproblemen. We doen er alles aan om dit zo snel mogelijk op te lossen. Onze excuses voor het ongemak!

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Zoek een winkel

€ 49,45

+ 98 punten

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

Gratis thuislevering vanaf € 30 (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1-m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1-m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET.